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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • High speed switching
  • Capable of 4.5 V gate drive
  • Low drive current
  • High density mounting
  • Low on-resistance
    RDS(on) = 18 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
  • Pb-free
  • Halogen-free

説明

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

Part NumberStatusSamplesStockPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreeCountry of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RJK0851DPB-00#J5Last Time BuyAvailableIn StockLFPAK1ku | $0.6675#Embossed Tape1YesMalaysiaJapan
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