特長
- ロジックレベル (–6 V) 駆動型パワーMOS FETです。
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET保護が可能。
- 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
- 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧0バイアスで復帰します。
- 電流制限回路を内蔵しております。
- 電源電圧12 V適用
- AEC-Q101 Rev-E準拠
説明
本製品はゲートの印加電圧によりDS間のON-OFF制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FETを保護する働きを持っています。
適用されたフィルター
読込中