特長
- ルネサス第8世代トレンチIGBT
- 短絡耐量（10µs min.）
- 高電力アプリケーションに最適化
- Unsawnウェハ
- ウェハサイズ：200mm
- 品質水準：標準水準
説明
ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。
弊社の1800V - 400A/200A IGBTは、風力発電やソーラーインバータなど、高電力アプリケーションに最適化されています。
アプリケーション
- 風力発電
- ソーラーインバータ
適用されたフィルター
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