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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
NEW
80V、140A、3.1mΩ、SO8-FL (5x6)、REXFET-1 NチャネルパワーMOSFET

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SO8-FL
Pkg. Code:
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):5.15 x 6.10 x 1.00
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBE031N08R1SZN6#HB0)英語日本語

製品スペック

Pkg. TypeSO8-FL
Lead Count (#)8
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)5400
Country of AssemblyMALAYSIA
Country of Wafer FabricationJAPAN
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)140
Id max @ 25°C (A)140
Lead CompliantNo
Length (mm)6.1
MOQ5000
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)140
Pkg. Dimensions (mm)5.15 x 6.10 x 1.00
Qg typ (nC)76
Qualification LevelIndustrial
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)3.1
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)2.7
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Standard Pkg. TypeSO8-FL 5x6 BSC
Tape & ReelYes
Thickness (mm)1
VDSS (Max) (V)80
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Width (mm)5.15

説明

RBE031N08R1SZN6 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。