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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
NEW
100V、230A、1.9mΩ、TOLT、REXFET-1 NチャネルパワーMOSFET

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TOLT
Pkg. Code:
Lead Count (#):16
Pkg. Dimensions (mm):15 x 9.9 x 2.3
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBE019N10R1SZPW#KB0)英語日本語

製品スペック

Pkg. TypeTOLT
Lead Count (#)16
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)11000
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationJAPAN
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)230
Id max @ 25°C (A)230
Lead CompliantNo
Length (mm)15
MOQ1300
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)405
Pkg. Dimensions (mm)15 x 9.9 x 2.3
Qg typ (nC)140
Qualification LevelIndustrial
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.9
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)1.63
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Standard Pkg. TypeTOLT
Tape & ReelYes
Thickness (mm)2.3
VDSS (Max) (V)100
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Width (mm)9.9

説明

RBE019N10R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、熱性能、信頼性、および組み立ての容易さのために、上面冷却を備えています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。