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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
NEW
80V, 360A, 1.06mΩ, TOLT, REXFET-1 NチャネルパワーMOSFET 車載用

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TOLT
Pkg. Code:
Lead Count (#):16
Pkg. Dimensions (mm):9.90 x 15.00 x 2.30
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBA011N08R1SBPW#KB0)英語日本語

製品スペック

Pkg. TypeTOLT
Lead Count (#)16
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Channels (#)1
Channels per device (#)1
Ciss (Typical) (pF)18000
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationJAPAN
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)360
Id max @ 25°C (A)360
Lead CompliantNo
Length (mm)15
MOQ1300
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)535
Pkg. Dimensions (mm)9.90 x 15.00 x 2.30
Qg typ (nC)250
Qualification LevelAutomotive
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.06
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)0.95
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Standard Pkg. TypeTOLT
Tape & ReelYes
Thickness (mm)2.3
VDSS (Max) (V)80
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Width (mm)9.9

説明

RBA011N08R1SBPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、超小型で最適な熱性能を実現するトップサイド冷却を採用しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。