メインコンテンツに移動
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
256Kb 低消費電力SRAM (32k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(1)
Pkg. Code:pkg_462
Lead Count (#):28
Pkg. Dimensions (mm):12 x 8 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)2
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.32.0041
RoHS (R1LV5256ESA-5SI#S0)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)2
Access Time (ns)55
Density (Kb)256
Lead CompliantYes
Lead Count (#)28
Length (mm)12
MOQ1000
Memory Capacity (kbit)256
Memory Density0.256
Organization32K x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)32
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)12 x 8 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(1)
Price (USD)$4.8089
RemarksSingle Chip Select (CS#)
Replacement ProductR1LV5256ESA-5SI#S1
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

R1LV5256Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた32,768語 ×8 ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV5256Eシリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な28ピンの薄型パッケージ(SOP,TSOP)が用意されています。