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1Mb 低消費電力SRAM (128k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type: SOP
Pkg. Code: pkg_9335
Lead Count (#): 32
Pkg. Dimensions (mm): 20.75 x 11.4 x 3.05
Pitch (mm): 1.27

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
RoHS (R1LV0108ESN-5SI#B1) 英語日本語
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Carrier Type Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Access Time (ns) 55
Density (Kb) 1000
Lead Compliant Yes
Lead Count (#) 32
Length (mm) 21
Longevity 2032 12月
MOQ 1
Memory Capacity (kbit) 1000
Memory Density 1M
Organization 128K x 8
Organization (bit) x 8
Organization (kword) 128
Pb (Lead) Free Yes
Pkg. Dimensions (mm) 21 x 11 x 3.05
Pkg. Type SOP
Price (USD) $2.28738
Remarks Dual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement Remark Assembly site transfer to serve the objective of stable supply
Supply Voltage (V) 2.7 - 3.6
Tape & Reel No
Temp. Range (°C) -40 to +85
Thickness (mm) 3.05
Width (mm) 11

説明

R1LV0108Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072 語 ×8 ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0108E シリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ(SOP,TSOP,sTSOP)が用意されています。