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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
1Mb 低消費電力SRAM (128k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:sTSOP(32)
Pkg. Code:pkg_11617
Lead Count (#):32
Pkg. Dimensions (mm):12 x 8 x 1.2
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.32.0041
Pb (Lead) FreeYes

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyMALAYSIA, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)55
Density (Kb)1000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)32
Length (mm)12
MOQ1
Memory Capacity (kbit)1000
Memory Density1
Organization128K x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)128
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)12 x 8 x 1.2
Pkg. TypesTSOP(32)
Price (USD)$2.68172
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement Remarkconsolidation of part-names and/or assembly material change
Supply Voltage (V)4.5 - 5.5
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

R1LP0108Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072語 ×8ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LP0108Eシリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ(SOP,TSOP,sTSOP)が用意されています。