メインコンテンツに移動
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
2.5 A 出力,高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 5 ピン SOP(LSO5, 8 ㎜沿面)フォトカプラ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8541.49.8000

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyJAPAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms)5
CMTI min. (kV/µs)50
Channels (#)1
Creepage Distance (mm)8
DC IFLH max. (mA)4
IFLH (Max) (mA)4
IOL/IOH (Peak) (A)2.5
Isolation Voltage (Vrms)5000
Lead CompliantYes
MOQ20
Peak Output Current IPK (A)2.5
Price (USD)$3.27355
SW PDD max. (ns)90
SW PWD max. (ns)75
SW tPLH, tPHL max. (ns)175
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1)Approved
Safety Standard UL (UL1577)Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5)Approved
Supply Voltage (V)15 - 30
Tape & ReelNo
Target applicationsIGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V)35
tPHL (Max) (μs)0.175
tPLH (Max) (μs)0.175
tf (Typical) (µs)0.04

説明

PS9031 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
高耐ノイズ(高 CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。