概要
説明
The RJP1CS28DWS is a 1250V 200A trench insulated-gate bipolar transistor (IGBT) that is available in a Sawn wafer package type.
特長
- Renesas generation 7th Trench IGBT
- Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.55V typ. (at IC = 200A, VGE = 15V, Tc = 25 °C)
- Moderate speed switching
- Short circuit withstands time (10μs min.)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 111 KB | |
| カタログ | PDF 5.67 MB English | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| アプリケーションノート | PDF 655 KB English | |
| アプリケーションノート | PDF 1.23 MB English | |
| アプリケーションノート | PDF 1.16 MB English | |
| カタログ | PDF 1.32 MB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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