概要
説明
The NP90N055MUH, NP90N055NUH, NP90N055PUH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
特長
- Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
- Super low on-state resistance NP90N055MUH, NP90N055NUH RDS(on) = 5.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) NP90N055PUH RDS(on) = 5.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A)
- High avalanche energy, High avalanche current
- Low input capacitance Ciss = 6200 pF TYP. (VDS = 25 V)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 359 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
5件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。
