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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 5.3 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A) RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A)
  • High current rating: ID(DC) = ∓83 A

説明

The NP83P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

パラメータ

属性
Qualification LevelAutomotive
Nch/PchPch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTO-263 / D2PAK
Gate LevelLogic
VDSS (Max) (V)-40
ID (A)-83
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)5.3
RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm)8
Pch (W)150
Ciss (Typical) (pF)9820
Qg typ (nC)200
Series NameNP Series

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
MP-25ZP10 x 9 x 4.93
Part NumberStatusSamplesStockRoHSPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreeCountry of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
NP83P04PDG-E1-AYActiveAvailableIn StockContactMP-25ZP1ku | $1.5573#Embossed Tape1YesMALAYSIAJAPAN
NP83P04PDG-E2-AYObsoleteN/AIn StockRoHS:EN
RoHS:JA
MP-25ZP3#Embossed Tape1Yes
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