ルネサスの同期デュアルポートRAM製品は、高度なマルチポートSRAMに関する技術と豊富なシステム設計の経験を活用しています。 これらの業界をリードするデバイスは、データ、アドレス、制御機能向けのクロック入出力を備えています。 これにより、完全な同期動作と、2つの独立したバスから単一のスタティックSRAMメモリロケーションへの同時アクセスが可能になります。 帯域幅の向上により、デュアルポートSRAMは標準的なSRAMの性能を実質的に2倍に高め、システム設計を簡素化し、製品の市場投入までの時間を短縮します。 セマフォ・トークンパッシング、ソフトウェアアービトレーション、オンチップのハードウェアアービトレーションなどの高度なアービトレーション技術により、競合やシステム待機状態を排除し、効率を高め、最適なパフォーマンスを実現します。
標準的なSDRAMの約2倍の性能を持つ、優れたシステムスループットを実現します。
設計の複雑さを軽減し、開発期間の短縮を実現します。
オンチップツールにより競合を排除し、シームレスな動作を実現します。
2.5V～5VのI/O電圧に対応し、多様なインテグレーションを可能にします。
幅広い用途に対応するため、商業用、工業用、軍用グレードで提供しています。
デュアルポートSRAMメモリ（DPRAM）は、メモリ内で同時に複数の読み出しまたは書き込みをサポートするスタティック・ランダム・アクセス・メモリで、パフォーマンスを向上させます。 シングルポートメモリが1クロックサイクルあたり1回のメモリセルアクセスしかできないことに対し、デュアルポートメモリは1クロックサイクルあたり2回のアクセスを可能にします。 DPRAMは8トランジスタの基本メモリセルを使用するため、一般的にダイサイズが大きくなります。 当社の最適化されたソリューションは、非常にコンパクトなパッケージで提供されるため、より大きなダイサイズを必要としません。
