特長
- Less than 0.18in2 footprint for the complete 600mA converter
- Components on one side of PCB
- Max height 1.1mm 10 Ld MSOP
- Power-Good (PG) output
- Internally-compensated voltage mode controller
- Up to 95% efficiency
- <1µA shutdown current
- 120µA quiescent current
- Hiccup mode overcurrent and over-temperature protection
- Externally synchronizable up to 12MHz
- Pb-free available (RoHS compliant)
ISL8010 Functional Diagram
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The ISL8010 is a synchronous, integrated FET 600mA step-down regulator with internal compensation. It operates with an input voltage range from 2. 5V to 5. 5V, which accommodates supplies of 3. 3V, 5V, or a Li-Ion battery source. The output can be externally set from 0. 8V to VIN with a resistive divider. The ISL8010 features automatic PFM/PWM mode control, or PWM mode only. The PWM frequency is typically 1. 4MHz and can be synchronized up to 12MHz. The typical no load quiescent current is only 120µA. Additional features include a Power-Good output, <1µA shutdown current, short-circuit protection, and over-temperature protection. The ISL8010 is available in the 10 Ld MSOP package, making the entire converter occupy less than 0. 18in2 of PCB area with components on one side only. The 10 Ld MSOP package is specified for operation over the full -40°C to +85°C temperature range.
アプリケーション
- PDA and pocket PC computers
- Bar code readers
- Cellular phones
- Portable test equipment
- Li-Ion battery powered devices
- Small form factor (SFP) modules
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Carrier Type |
|---|---|---|---|---|---|
| ISL8010IUZ | Obsolete | N/A | In Stock | MSOP | Tube |
| ISL8010IUZ-T13 | Obsolete | N/A | Out of Stock | MSOP | Reel |
| ISL8010IUZ-T7 | Obsolete | N/A | In Stock | MSOP | Reel |
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- アプリケーションノート英語PDF 592 KB an9208 2018年2月01日AI生成コンテンツ: The document discusses high frequency power converters, focusing on ZVS-QRC and multi-resonant topologies that reduce switching losses by operating switches at zero voltage. It highlights challenges like EMI and high voltage stress. The SEPIC converter is introduced, explaining its ability to buck or boost voltage without polarity inversion. The document details SEPIC’s operating modes, voltage-current relationships, and the importance of inductor values for continuous or discontinuous conduction modes.
- EOL通知英語PDF 200 KB PLC15033 2015年6月11日
- 製品変更通知英語PDF 117 KB PCN11059 2011年6月17日
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 1.56 MB an1209 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document details Intersil Integrated FET DC/DC converters, highlighting various models with their voltage ranges, output currents, switching frequencies, and package types. It explains the simplified buck regulator schematic, emphasizing ease of design with only four external components and internal FETs optimized for performance. Features include synchronous rectification for high efficiency, ceramic capacitor compatibility, small form factor, improved thermal performance, 100% duty cycle operation, internal loop compensation, external frequency synchronization for EMI reduction, and advanced control functions like UVLO, overcurrent, and thermal protection.
- アプリケーションノート英語PDF 650 KB an9210 2001年12月21日AI生成コンテンツ: This document presents a new PSPICE subcircuit model for power MOSFETs with global temperature options. It details synchronous rectifier circuit operation, including gate biasing and conduction modes. The model accurately simulates switching waveforms, diode recovery, and temperature-dependent efficiency. Measured and modeled data show excellent correlation for output characteristics, threshold voltage, breakdown voltage, and on-resistance across temperature ranges. Limitations in linear mode modeling are noted due to PSPICE assumptions.
- アプリケーションノート英語PDF 387 KB an9209 1998年8月13日AI生成コンテンツ: The document presents an empirical SPICE-2 subcircuit model for power MOSFETs, accurately simulating static and dynamic behaviors including first and third-quadrant operations and avalanche breakdown. The model aligns closely with measured data and is compatible with all SPICE versions without code modification. It uses parameters derived from datasheets or simple measurements. The document also includes detailed comparisons of measured and calculated curves for transfer, output, switching, and diode recovery characteristics. Additionally, it provides legal and usage disclaimers from Renesas Electronics.
- アプリケーションノート英語PDF 349 KB an7244 1998年8月12日AI生成コンテンツ: Power MOSFETs feature a positive temperature coefficient of resistance, enhancing stability and preventing thermal runaway by increasing resistance as temperature rises. Their gate terminals have extremely high input impedance with minimal leakage current, dominated by capacitive characteristics. Switching speed depends on gate resistance and capacitance, with polysilicon gates offering higher resistance and lower frequency operation than metal gates. MOSFETs require a gate-to-source voltage exceeding a threshold (around 2V) and typically about 10V to fully saturate and deliver maximum drain current. TTL and CMOS drivers differ in voltage capability and switching speed, often requiring buffering for optimal performance.
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- アプリケーションノート英語PDF 592 KB an9208 2018年2月01日AI生成コンテンツ: The document discusses high frequency power converters, focusing on ZVS-QRC and multi-resonant topologies that reduce switching losses by operating switches at zero voltage. It highlights challenges like EMI and high voltage stress. The SEPIC converter is introduced, explaining its ability to buck or boost voltage without polarity inversion. The document details SEPIC’s operating modes, voltage-current relationships, and the importance of inductor values for continuous or discontinuous conduction modes.
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アプリケーションノート、ホワイトペーパー (7)
- EOL通知英語PDF 200 KB PLC15033 2015年6月11日
- 製品変更通知英語PDF 117 KB PCN11059 2011年6月17日
製品通知（PCN、EOLなど） (3)
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