概要
説明
HIP2211は100V、3Aソース、4Aシンクの高周波ハーフブリッジNMOS FETドライバです。HIP2211は標準のHI/LI入力を備え、HIP2101やISL2111などルネサスの一般的なブリッジドライバとピン互換性があります。6V～18Vの広い動作電源範囲とハイサイドブートストラップダイオードの内蔵により、100VハーフブリッジアプリケーションでのハイサイドおよびローサイドNMOSの駆動をサポートします。
この3Aソース、4Aシンクのドライバは高速な15ns（標準）の伝搬遅延と2ns（標準）の遅延マッチングを実現しており、高周波スイッチング・アプリケーションに最適な製品です。VDDとブートUVLOにより低電圧動作の際も保護されます。
HIP2211は、8Ld SOIC、8Ld 4x4mm DFN、10Ld 4x4mm TDFNパッケージで提供されます。
特長
- ISL2111、HIP2101の8Ld SOIC、8Ld DFN、10Ld TDFNパッケージ互換
- 最大電圧115VDCのブートストラップ電源はハーフブリッジの100Vをサポート
- NMOS FET用3Aソース／4Aシンク・ゲート・ドライバ
- 高速伝搬遅延とマッチング：15ns（標準）の遅延、2ns（標準）のマッチング
- 0.5Ω（代表値）のブートストラップ・ダイオードを内蔵
- 広い動作電圧範囲： 6V～18V
- VDDおよびブート時の低電圧ロックアウト(UVLO)
- 堅牢なノイズ耐性：入力での広いヒステリシス、HSピンは最大-10V（連続）までを許容
- HI/LI入力 3.3Vロジック対応（VDD電圧許容範囲内）
製品比較
アプリケーション
設計・開発
サポート
よくあるご質問
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FAQ 2000743 : HIP2210 / HIP2211 評価ボード出力電流能力
ゲートドライバの標準的なピークプルアップ電流は3Aです。 標準的なピークプルダウン電流は4Aです。 評価ボードのデュアルフットプリントの目的は、さまざまなMOSFETパッケージを柔軟にテストできるようにすることです。 出力LCフィルターは ...
2020年5月14日 -
FAQ 2000740 : HIP2210 / HIP2211 最大クロックレート
ゲートドライバは最大1MHzで動作するように設計されていますが、実際の最大クロックレート/スイッチング周波数は、アプリケーションの消費電力とICの温度上昇によって決まります。 熱に影響する要素には、電源電圧 ...
2020年5月14日 -
FAQ 2000739 : HIP2210 / HIP2211 最大デューティ比
ローサイドドライバはVDDによってバイアスされるため、ローサイドデューティサイクルに制限はありません。これは、スイッチングサイクルの100％も可能なことを意味しています。 ハイサイドドライバは、ブートコンデンサがスイッチングせずにHB ...
2020年5月14日