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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • High-speed address/chip select access time – 85ns (max.)
  • Low power consumption
  • Battery backup operation – 2V data retention voltage
  • Produced with advanced CMOS high-performance technology
  • Inputs and outputs directly TTL-compatible
  • Three-state outputs
  • Available in 28-pin 600 mil ceramic DIP package
  • Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

説明

The 5962-85525 (7164 SRAM) is organized as 8K x 8 and offers a reduced power standby mode. This version also offers a battery backup data retention capability at power supply levels as low as 2V. All inputs and outputs are TTL-compatible and operation is from a single 5V supply, simplifying system designs. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation.
Part NumberStatusSamplesStockPackageLead Count (#)Temp. GradePb (Lead) FreeCarrier Type
5962-8552512XAObsoleteN/AOut of StockCDIP28#MNoTube
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