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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • High power output, High gain, High efficiency
  • PG = 12.2 dB, Pout = 1.05 W, ηD = 45% min. (f = 836.5 MHz)
  • Compact package capable of surface mounting

説明

Silicon N-Channel MOSFET, UHF Power Amplifier.

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