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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • 2.7V~3.6V 単一電源
  • 低スタンバイ電源電流 1µA(Vcc=3.0V 標準値)
  • 外部クロック及びリフレッシュ操作不要
  • 入出力ともTTL直結可能
  • CS1#, CS2信号によりメモリ容量の拡張可能
  • データ端子は入力、出力が共通
  • 出力はスリーステートでORタイが可能
  • OE#入力によるI/Oバスでのデータの競合防止可能

説明

R1LV0208BSAは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた262,144 語 ×8ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0208BSAは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

R1LV0208BSAは、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ(sTSOP)に収納されています。

パラメータ

属性
Memory Density2
Organization256K x 8
Access Time (ns)55
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Temp. Range (°C)-40 to +85

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
sTSOP(32)12 x 8 x 1.2320.5
型名状態サンプル在庫RoHSパッケージ参考価格(米ドル)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
R1LV0208BSA-5SI#B1ActiveAvailable在庫あり問合せTSOP(1)1ku | $4.2Tray3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
R1LV0208BSA-5SI#S1ActiveN/A在庫あり問合せTSOP(1)1ku | $4.2Embossed Tape3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
R1LV0208BSA-5SI#B0ObsoleteN/A在庫ありRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(1)Tray2
R1LV0208BSA-5SI#BXObsoleteN/A在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(1)Tray3
R1LV0208BSA-5SI#S0ObsoleteN/A在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(1)Embossed Tape2
R1LV0208BSA-5SI#SXObsoleteN/A在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(1)Embossed Tape3
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