概要
EVB-RTP100E2P6G1FL評価ボードは、高効率電力変換アプリケーションにおけるRTP100E2P6G1FL 100V、2.6mΩ エンハンスメントモード（E-mode）窒化ガリウム（GaN）FETの性能を評価するためのプラットフォームです。 ルネサスの低電圧GaN技術とRRP68150 GaNゲートドライバをベースに構築されており、スイッチング動作、変換効率、およびシステム全体の性能を評価するための実用的なプラットフォームを提供します。
本評価ボードは、超高速スイッチングと低損失動作の利点を実証することで、従来のシリコンMOSFETからGaN技術への移行を容易にします。 また、測定に便利なテストポイントと実証済みのパワーステージ設計を備えており、性能比較、レイアウト最適化、および次世代電力システムにおけるGaN技術による効率向上や高電力密度化への理解を深めることができます。
特長
- Vin、Vout、Fsw、およびPoutの幅広い条件における低電圧GaNの性能評価
- 柔軟で使いやすい降圧コンバータ評価ボード
- 48V入力、12V出力、最大330W出力に対応
- スイッチング周波数範囲：250kHz～500kHz
- 高周波電力変換の最適化
- 波形測定に便利なテストポイントを搭載
- 高効率かつ高電力密度の設計をサポート
- フットプリント互換GaN FETパッケージにより、シリコンMOSFETソリューションからの移行を容易化
EVB-RTP100E2P6G1FL評価ボード - 上面
設計ファイル／ドキュメント
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- ホワイトペーパー英語Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- PCB設計ファイル英語The design files for the EVB-RTP100E2P6G1FL evaluation board include the schematic and PCB layout files used in the board design. These resources provide insight into the board's implementation and can assist with design review, customization, and evaluation of the RTP100E2P6G1FL low-voltage GaN device.
- アプリケーションノート英語Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
- マニュアル－開発ツール英語The EVB-RTP100E2P6G1FL evaluation board showcases the performance of the RTP100E2P6G1FL 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET in high-efficiency power conversion applications. Built around Renesas low-voltage GaN technology and a dedicated GaN gate driver, it provides a platform for evaluating switching performance, efficiency, power density, and system design tradeoffs. This evaluation board manual includes setup, operation, and testing guidance.
- マニュアル－開発ツール英語The EVB-RTP100E2P6G1FL evaluation board showcases the performance of the RTP100E2P6G1FL 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET in high-efficiency power conversion applications. Built around Renesas low-voltage GaN technology and a dedicated GaN gate driver, it provides a platform for evaluating switching performance, efficiency, power density, and system design tradeoffs. This evaluation board manual includes setup, operation, and testing guidance.
推奨ドキュメント (1)
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お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
- マニュアル－開発ツール英語The EVB-RTP100E2P6G1FL evaluation board showcases the performance of the RTP100E2P6G1FL 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET in high-efficiency power conversion applications. Built around Renesas low-voltage GaN technology and a dedicated GaN gate driver, it provides a platform for evaluating switching performance, efficiency, power density, and system design tradeoffs. This evaluation board manual includes setup, operation, and testing guidance.
マニュアル、ガイド (1)
- ホワイトペーパー英語Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- アプリケーションノート英語Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (2)
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- PCB設計ファイル英語The design files for the EVB-RTP100E2P6G1FL evaluation board include the schematic and PCB layout files used in the board design. These resources provide insight into the board's implementation and can assist with design review, customization, and evaluation of the RTP100E2P6G1FL low-voltage GaN device.
図、設計ファイル (1)
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REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
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ブログ 2026年10月1日 |
