ルネサスは、企業内ネットワーク、ネットワークスイッチ/ルーター、インターネットアクセスやネットワークセキュリティ等の幅広いアプリケーションを長年サポートしてきました。一方、現代のクラウドにおけるデータ活用の爆発的な普及により、今後のネットワークアーキテクチャには従来以上に柔軟性や拡張性が求められています。
ルネサスの情報通信ネットワークソリューションは、最高レベルのパフォーマンスや信頼性に加え、システムに最適化した拡張性を提供することで、お客様のタイムリーな市場参入を可能にします。
半導体デバイス | 推奨製品 | 特長等 |
---|---|---|
高速SRAM | QDR-II/II+, DDR-II/II+ | 18Mb-144Mb 高速ランダムアクセスメモリ QDR規格準拠 |
高速DRAM | LLDRAM-II/III | 288Mb-1.1Gb 高速ランダムアクセス&低消費電力DRAM |
Search Engine | NSE | 20Mb-80Mb 高性能パケットヘッダ検索向け |
低消費電力SRAM | LP SRAM | 256Kb-64Mb 幅広いラインナップ |
半導体デバイス | 推奨製品 | 特長等 |
---|---|---|
MCU | RX651 | 高性能(32MHz)・低消費電力 光トランシーバーと使用可能 (データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー) I2Cバスインターフェース(ファーストモード+1Mbpsサポート) |
RX231 | 高性能(54MHz)・低消費電力・小型PKG 光トランシーバーと使用可能 (データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー) |
|
RX111 | 高性能(32MHz)・低消費電力・小型PKG 光トランシーバーと使用可能 (データフラッシュ、OCO、POR/LVD、SPI、I2C、ADC、DAC、温度センサー) |
|
LD/PD | DFB-LD | 25Gbpsサポート ダイレクト変調 4波長で100Gbps対応(25Gbps × 4チャネル) |
半導体デバイス | 推奨製品 | 特長等 |
---|---|---|
IGBT | RBNxxH65T1シリーズ | インバータ用IGBT(UPS, 太陽光発電, 他) 高効率(高速スイッチング+低VCEsat) 高堅牢性(最大VGE=±30V, MAXジャンクション温度:175 ℃) |
RBNxxH125S1シリーズ | ||
フォトカプラ | トランジスタ出力 IC出力 |
IGBT駆動/アイソレーションアンプ/通信用を含む、幅広いラインナップ |
SI-07