SOTBプロセス技術は、 SOI (Silicon on Insulator) を使用した新しいトランジスタ技術です。

SOTBは、従来トレードオフの関係にあった、アクティブ時の消費電力とスリープ時の消費電力を、どちらも極限まで減らすことができ、さらに一つのチップ上でSOTBとバルクのハイブリッド構造が共存できる、ルネサス独自のプロセス技術です。

SOTB Process Target

SOTB Transistor Bulk CMOS Transistor (for comparison)

ウエハ基板上の薄いシリコン層の下に極めて薄い絶縁層(BOX: Buried Oxide)を形成しました。シリコン層に不純物を混入しないことにより低電圧で安定した動作を可能にしており、電力効率良く演算性能を発揮できます。一方、スタンバイ時はBOX層下のシリコン基板電位を制御(バックバイアス制御)することにより、リーク電流を削減し、待機電力を抑えることができます。

ハイブリッド構造

SOTBのウエハは薄いBOX構造の為、BOXの除去が行いやすく、同一チップ上でSOTBトランジスタとバルクCMOSトランジスタを形成する事ができる。それにより既存のバルク製品のIP、I/Oポート、チャージポンプ、種々のアナログIP等が使用できる。

Hybrid SOTB and BULK Structure