2025年2月19日
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Renesas now offers the highest performance and reliability gallium nitride (GaN) solutions with the help of Transphorm. Discover how our GaN technology can enhance your next-generation system designs.
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窒化ガリウム（GaN）技術は、ワイドバンドギャップ特性を備えた高電力密度の電源ステージに不可欠です。 GaNは、AIインフラ、エネルギー貯蔵、モータドライブにおける電力性能の向上を、SiCよりも迅速かつ効果的に促進します。特に、GaNがシリコンMOSFETを代替できる領域で、その効果を発揮します。 ルネサスは、パワーGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）のパイオニアであり、25W…