パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | Sawn Wafer |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Pb (Lead) Free | No |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | Sawn Wafer |
| Pb (Lead) Free | No |
| Application | Inverter |
| Channels (#) | 1 |
| IC (A) | 220 |
| Ic (Peak) (A) | 660 |
| Lead Compliant | No |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Qualification Level | Automotive |
| Simulation Model Available | Yes |
| Tape & Reel | No |
| Technology | AE5 |
| Tj (°C) | 185 |
| VCE (sat) (V) | 1.35 |
| VCES (V) | 750 |
| VGE (Off) (V) | 5.5 |
| tsc (μs) | 3.4 |
RBN220N75A5PJWS に関するリソース
説明
ルネサスの車載用AE5 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。
- 市場最小レベルの導通損
- 破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化・低スイッチングロス化・チップシュリンクを実現
- Vthのばらつきを抑えており、より簡易的な並列動作が可能
- 従来175degCからTjmax185degCとなっており、高温領域でもより安定した性能
本750V/220A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。