デュアルポートメモリについて
デュアルポートメモリ(デュアルポートRAM)は、メモリ内で複数の読み書きを同時に実行できるため、性能向上に貢献します。 シングルポートメモリが1クロックサイクルあたり1回のアクセスしかできないことに対し、デュアルポートメモリは1クロックサイクルあたり2回のメモリセルアクセスを可能にします。 当社のデュアルポートソリューションは、8トランジスタの基本メモリセルを採用、最適化され、非常にコンパクトなパッケージで提供されるため、より大きなダイサイズを必要としません。
当社は、先進的な機能と豊富なシステム設計の専門知識を兼ね備えた、卓越した非同期デュアルポートRAMソリューションを提供しています。 当社のメモリデバイスは、クロック入力や出力を必要とせず、アドレスおよび制御ピンの変化に即時に応答します。 これらのダイナミックRAMは、2つのバスから単一のスタティックSRAMメモリロケーションへの同時アクセスを可能にし、設計の簡素化と性能向上を両立します。 アービトレーションロジックを備えた当社の非同期デュアルポートRAMは、システム内の競合を最小化し、高帯域幅が求めらえるアプリケーションに最適です。
2倍に拡張されたSRAM帯域幅は、要求の厳しいアプリケーションにおいても高い性能を発揮します。
複雑さを軽減することで、より迅速かつ効率的な開発を実現します。
設計サイクルを短縮することで、製品の発売までの時間を短縮し、製品のより迅速な市場投入を実現します。
2.5V~5VのI/O電圧をサポートし、幅広いシステム要件に対応します。
デュアルポートメモリ(デュアルポートRAM)は、メモリ内で複数の読み書きを同時に実行できるため、性能向上に貢献します。 シングルポートメモリが1クロックサイクルあたり1回のアクセスしかできないことに対し、デュアルポートメモリは1クロックサイクルあたり2回のメモリセルアクセスを可能にします。 当社のデュアルポートソリューションは、8トランジスタの基本メモリセルを採用、最適化され、非常にコンパクトなパッケージで提供されるため、より大きなダイサイズを必要としません。