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非同期デュアルポートRAM

当社は、先進的な機能と豊富なシステム設計の専門知識を兼ね備えた、卓越した非同期デュアルポートRAMソリューションを提供しています。 当社のメモリデバイスは、クロック入力や出力を必要とせず、アドレスおよび制御ピンの変化に即時に応答します。 これらのダイナミックRAMは、2つのバスから単一のスタティックSRAMメモリロケーションへの同時アクセスを可能にし、設計の簡素化と性能向上を両立します。 アービトレーションロジックを備えた当社の非同期デュアルポートRAMは、システム内の競合を最小化し、高帯域幅が求めらえるアプリケーションに最適です。

帯域幅効率の向上

帯域幅効率の向上

2倍に拡張されたSRAM帯域幅は、要求の厳しいアプリケーションにおいても高い性能を発揮します。

簡素化されたシステム設計

簡素化されたシステム設計

複雑さを軽減することで、より迅速かつ効率的な開発を実現します。

市場投入までの時間の短縮

市場投入までの時間の短縮

設計サイクルを短縮することで、製品の発売までの時間を短縮し、製品のより迅速な市場投入を実現します。

カスタマイズ可能な電圧オプション

カスタマイズ可能な電圧オプション

2.5V~5VのI/O電圧をサポートし、幅広いシステム要件に対応します。

デュアルポートメモリについて

デュアルポートメモリについて

デュアルポートメモリ(デュアルポートRAM)は、メモリ内で複数の読み書きを同時に実行できるため、性能向上に貢献します。 シングルポートメモリが1クロックサイクルあたり1回のアクセスしかできないことに対し、デュアルポートメモリは1クロックサイクルあたり2回のメモリセルアクセスを可能にします。 当社のデュアルポートソリューションは、8トランジスタの基本メモリセルを採用、最適化され、非常にコンパクトなパッケージで提供されるため、より大きなダイサイズを必要としません。

主要なデュアルポートメモリ

主要なデュアルポートメモリ 

  • コア電圧:デュアルポートRAMの供給電圧は、通常、システムで利用可能な電源レールにより決定されます。
  • 入出力電圧:一部のデバイスではデータ入出力に使用される電圧はコア電圧とは別に供給されます。
  • バス幅:デュアルポートRAMへの読み書きに使用される「レーン」の数。 ルネサスは、すべての一般的な構成を提供しています。
  • メモリ密度:デュアルポートRAMが保持できるビット数。 当社は最大18Mbのサイズを提供しています。
  • アクセス時間:情報を検索し、処理可能な状態にするまでに要する時間。 ルネサスのソリューションは、8ナノ秒という短いアクセス時間を実現します。

サポート

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サポートコミュニティ

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