メインコンテンツに移動

概要

説明

RTK226110DE0010BUはRAA226110ゲートドライバ評価ボードです。 この評価キットは2つのGaNシステム650V GaNエンハンスメントモードHEMT(E-HEMT)や、ハーフブリッジゲートドライバ、絶縁型電源、ハーフブリッジパワー段を構成する任意のヒートシンクを含むすべての必要な回路から構成されます。 汎用マザーボード(P/N:GS665MB-EVB)またはユーザシステムのいずれかを使用して、ハーフブリッジベースのトポロジーでのGaN E-HEMT性能の評価を可能にします。 RTK226110DE0010BUボードは0Vターンオフ電圧ソリューションを提供します。 0Vターンオフソリューションは通常低消費電力アプリケーションで使用され、負の電圧レールが不要なので、導入が容易です。

特長

  • リファレンスデザインや評価ツールだけでなく、簡単なシステム内評価向けに即導入できるソリューションとしても機能します。
  • 高さが大半の1Uデザインにフィットする35mmの垂直型取り付けスタイルで、GaN E-HEMTの評価が従来のスルーホールタイプの電源ボードで可能になります。
  • 特性テストを切り替えるための電流シャントの位置。
  • すべての製品を対象とした汎用フォームファクターと実装面積。
  • 0Vターンオフ電圧。

アプリケーション

ドキュメント

製品選択

適用されたフィルター

サポート

サポートコミュニティ

サポートコミュニティ

ルネサスエンジニアリングコミュニティの技術スタッフから迅速なオンライン技術サポートを受けることができます。
記事を参照する

ナレッジベース

ナレッジベースを参照して、役立つ記事、FAQ、その他の役立つリソースを入手してください。
サポートチケット

サポートチケット

技術的に深い内容や公開したくない内容のご質問はこちらです。