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HEV/EV用ゲートドライバ

パッケージ情報

Lead Count (#) 16
Pkg. Type SOP16
Pkg. Code pkg_20098
Pitch (mm) 1.27
Pkg. Dimensions (mm) 7.5 x 10.3 x 2.3

環境及び輸出分類情報

Pb (Lead) Free Yes
Moisture Sensitivity Level (MSL)
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Pkg. Type SOP16
Lead Count (#) 16
Pb (Lead) Free Yes
Temp. Range -40 to +125°C
Channels (#) 1
Common Mode Transient Immunity (kV/µs) 150
IGBT temperature monitor None
Input Voltage (Max) (V) 5.5
Input Voltage (Max) [Rail 1] (V) 4.5 - 5.5
Input Voltage (Max) [Rail 2] (V) 12.5 - 33
Input Voltage (Min) (V) 4.5
Input Voltage (Min) [Rail 1] (V) 4.5
Input Voltage (Min) [Rail 2] (V) 12.5
Isolation Voltage (Vrms) 3750
Length (mm) 7.5
MOQ 1
On Resistance (Ω) 0.3
Parametric Applications Traction inverter for EV, On-board charger for EV, DC-DC converter for EV
Parametric Category High-Side FET Drivers
Pitch (mm) 1.27
Pkg. Dimensions (mm) 7.5 x 10.3 x 2.3
Qualification Level Automotive
Thickness (mm) 2.3
Turn-Off Prop Delay (ns) 140
Turn-On Prop Delay (ns) 140
Width (mm) 10.3

説明

RAJ2930004AGMは電動車用トラクションインバータ等の高電圧アプリケーションに用いられる、IGBTやSiC MOSFETを駆動するためのゲートドライバICです。絶縁耐圧3750Vrmsのマイクロアイソレータを内蔵することで、一次側(MCU側)と二次側(IGBT側)間の高圧絶縁データ伝送を実現しています。さらに、CMTI(コモンモード過渡耐圧)は、150V/ns以上を実現したことにより、より高い電圧や、より高速なスイッチングが求められるインバータシステムにおいても、安定した通信性能を維持できます。

IGBT ゲート駆動回路、ミラークランプ回路、ソフトターンオフ回路に加え、過電流検出回路など各種保護回路を内蔵しています。