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2Mb 低消費電力SRAM (128k word x 16bit)

パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type: TSOP(2)
Pkg. Code: pkg_1574
Lead Count (#): 44
Pkg. Dimensions (mm): 18.41 x 10.16 x 1.2
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
ECCN (US) 3A991.b.2.a
HTS (US) 8542.32.0041
RoHS (R1LV0216BSB-5SI#B0) 英語日本語
Pb (Lead) Free Yes

製品スペック

Carrier Type Tray
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3
Access Time (ns) 55
Density (Kb) 2000
Lead Compliant Yes
Lead Count (#) 44
Length (mm) 18
MOQ 1
Memory Capacity (kbit) 2000
Memory Density 2M
Organization 128K x 16
Organization (bit) x 16
Organization (kword) 128
Pb (Lead) Free Yes
Pkg. Dimensions (mm) 18 x 10 x 1.2
Pkg. Type TSOP(2)
Price (USD) $8.78
Remarks Single Chip Select (CS#)
Replacement Product R1LV0216BSB-5SI#B1
Supply Voltage (V) 2.7 - 3.6
Tape & Reel No
Temp. Range (°C) -40 to +85
Thickness (mm) 1.2
Width (mm) 10

説明

R1LV0216BSBは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072語 × 16ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LV0216BSBは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

R1LV0216BSBは、高密度実装可能な44ピンの薄型パッケージ(TSOP)に収納されています。