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概要

説明

The RBA250N10CHPF-4UA02 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance
    • RDS(on) = 2.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 125A)
  • Low input capacitance
    • Ciss = 9500pF TYP. (VDS = 50 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 659 KB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB English
アプリケーションノート PDF 633 KB English
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6件

設計・開発

ボード&キット

モデル

ECADモデル

SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

Diagram of ECAD Models

製品選択

適用されたフィルター