概要
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The NP90N06VLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Logic level
- Built-in gate protection diode
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 12.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)
- High current rating ID(DC) = ±90 A
- Low input capacitance Ciss = 4600 pF TYP.
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
ログイン後、ご登録が可能となります。
|
|
|
|
|---|---|---|
| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 329 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 223 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
6件
|
||
設計・開発
モデル
ECADモデル
SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。
