概要
説明
RBN50H65T1FPQ-A0は650V、50Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード（FRD）を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 TO-247Aパッケージで提供されます。
特長
- トレンチゲートと薄型ウェハ技術（G8Hシリーズ）
- 高速リカバリーダイオードを1パッケージで内蔵
- コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V（typ.） （IC = 50A、VGE = 15V、Ta = 25°C時）
- 品質水準：標準水準
- 高速スイッチング
- 短絡については、仕様にありません
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