The 71V3578 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 18. The 71V3578 SRAM contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM.

特長

  • High system speed 150MHz (3.8ns clock access time)
  • LBO input selects interleaved or linear burst mode
  • Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)
  • 3.3V core power supply
  • Power down controlled by ZZ input
  • 3.3V I/O
  • Available in 100 -pin TQFP package

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製品名 Part Status Pkg. Type Lead Count (#) Temp. Grade Pb (Lead) Free Carrier Type 購入/サンプル
Active TQFP 100 C はい Tray
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descriptionドキュメント

タイトル language 分類 形式 サイズ 日付
データシート
star 71V3576/78 Datasheet データシート PDF 187 KB
PCN / PDN
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