概要
ルネサスの高信頼性MOSFETドライバは、放射線耐性が求められる環境下でのパワーマネジメント向けに、高速かつ効率的なスイッチングを提供します。 低伝搬遅延、高い駆動能力、精密な制御により、これらのドライバはMOSFETの最適な動作を実現し、電力損失を最小化します。 内蔵保護機能により過電圧・過電流を防ぎ、宇宙・高信頼性用途でも信頼性の高い動作を実現します。
ルネサスは、QML-V、QML-V相当、QML-P、QML-P相当、RTプラスチックなどの多くのスクリーニングフローに対応した製品を提供しています。 どのフローが適用されるかは、製品のデータシートをご参照ください。
堅牢な保護と制御
最適化された駆動能力により、正確なMOSFET制御を実現し、内蔵機能が意図しないスイッチングを防ぐことで、システムの安定性を高めます。
高速で効率的なスイッチング
低伝搬遅延と高い駆動能力により、MOSFETの高速かつ効率的な動作を実現し、スイッチング損失を最小化します。
宇宙向けの設計
宇宙用途向けに設計されたMOSFETドライバは、SEEおよびTIDの影響を抑え、追加設計なしでミッションクリティカルな信頼性を実現します。