CuFET MOSFET技術
ルネサス独自のMOSFET IPと高度な組立技術により、低熱抵抗と超小型PCBフットプリントを実現し、コンパクト設計においても高電流で効率的な動作を可能にします。
すべての低電圧および高電圧GreenFETロードスイッチは、商用(0°C~70°C)、拡張商用(-20°C~70°C)、産業用(-40°C~85°C)、および拡張産業用(-40°C~125°C)の温度範囲で厳密に特性評価されています。
GreenFETロードスイッチは、ハイサイドの電源レール制御用途において優れた性能を発揮するよう最適化されており、0.25V~25.2Vの入力電圧および1A~9Aの負荷電流に対応します。 独自のMOSFET技術と高度な組立技術を採用したこれらの最先端ソリューションは、極めて安定したRDS(on)、0.64mm²~5mm²の超小型PCBフットプリント、優れた熱性能を提供し、最新の電源管理ニーズに最適です。
nFETまたはpFET構造、チャージポンプ、保護回路をシングル/デュアルチャネル製品に統合し、部品点数と基板サイズを削減します。
超低RDS(on)変動により、広い電圧・温度範囲でも安定した動作を実現し、高電流用途でも低熱抵抗を維持します。
過電圧/低電圧ロックアウト、突入電流制御、アクティブ電流および短絡電流制限、サーマルシャットダウン、逆電流ブロッキング、逆電圧検出機能を備え、システムの信頼性を向上させます。
商用および産業用温度範囲(-40°C~125°C)に対応し、RoHS準拠かつ省スペースなパッケージオプションを提供します。
ルネサス独自のMOSFET IPと高度な組立技術により、低熱抵抗と超小型PCBフットプリントを実現し、コンパクト設計においても高電流で効率的な動作を可能にします。
すべての低電圧および高電圧GreenFETロードスイッチは、商用(0°C~70°C)、拡張商用(-20°C~70°C)、産業用(-40°C~85°C)、および拡張産業用(-40°C~125°C)の温度範囲で厳密に特性評価されています。

GreenFETロードスイッチは、メイン電源レールから複数のサブシステムへの効率的な電源分配を実現します。 低RDS(on)、突入電流制御、内蔵保護機能により、電力損失を最小化し、熱性能を向上させるとともに、ホットプラグや障害発生時にも下流負荷を保護します。

電源制御設計において、GreenFETデバイスはハイサイドの精密なオン/オフ制御を実現します。 内蔵の電流制限、サーマルシャットダウン、出力放電機能により、システムの信頼性を向上させ、待機時消費電力を低減し、コンシューマおよび産業機器におけるバッテリ駆動時間を延長します。

GreenFETスイッチは複数の電源レールを制御された順序で立ち上げることを可能にし、プロセッサ、FPGA、および高感度のアナログやRF部品の信頼性の高い起動を保証します。

GreenFET Power MUXソリューションは、インテリジェントな電源経路管理と統合保護機能により、2つの入力ソース間でスムーズな切り替えを実現します。 USBおよびマルチソースシステム向けに、電源遮断なしでシームレスかつ低ドロップスイッチングを提供します。
