メモリ&ロジック

DDR II／II+（Double Data Rate）SRAMおよびQDR™ II／II+（Quad Data Rate）SRAMは、次世代のネットワークおよび通信システムに最適なメモリデバイスです。 これらの超高速デバイスは、非常に高い動作周波数と低レイテンシおよびフルサイクル利用を組み合わせることができるメモリを必要とする高帯域幅システムをサポートすることができます。

DDR SRAMは、書き込み／読み出しサイクルにおいて、各データピンでDouble Data Rate（DDR）動作が可能であるため、クロックサイクルごとに2回データの書き込み／読み出しが行われます。 これにより、標準的な同期SRAMデバイスよりも転送速度が大幅に向上します。 ネットワークスイッチやルータのルックアップテーブルのような、連続的な書き込み／読み出しが必要なアプリケーションでは、DDR　SRAMは理想的なソリューションです。

QDR SRAMは、独立に動作する読み出しポートおよび書き込みポートを介して、各データピンでQuad Data Rate（QDR）動作を実現し、1クロックサイクルで4ワードのデータを転送できます。 これにより、メモリコントローラとSRAM間のバス競合をほぼなくすことができます。 QDR SRAMは、ハイエンドのネットワークスイッチ、ルータ、その他の通信ソリューションをサポートすることができます。

応用：

  • QoSやACL（アクセスコントロールリスト）のためのディープパケット処理用ルックアップテーブル
  • パケット転送待ち行列、高速ネットワークスイッチやルータのバッファリング
  • 基地局やスイッチなどの通信インフラ設備
  • ハイエンドのワークステーションやサーバ用のキャッシュメモリ

IBISモデルとBSDLモデルをご参照ください

セレクションテーブル

    Processing table
    Architecture
    Density (Kb)
    Data Width (bits)
    Burst Length (Words)
    Read Latency (Clock)
    MIN Frequency (MHz)
    Frequency (Max) (MHz)
    型名
    R1Q2A4418RBG-40I
    144-Mbit QDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 QDR-II 144000 18000 2 1.5 120 250
    R1Q2A7209ABB-40I
    72-Mbit QDR™II SRAM 2-word Burst
    		 QDR-II 72000 9 2 1.5 120 250
    R1Q2A7218ABB-40I
    72-Mbit QDR™II SRAM　2-word Burst
    		 QDR-II 72000 18000 2 1.5 120 250
    R1Q2A7236ABB-40I
    72-Mbit QDR™II SRAM　2-word Burst
    		 QDR-II 72000 36000 2 1.5 120 250
    R1Q3A4436RBG-33I
    144-Mbit QDR™ II SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II 144000 36000 4 1.5 120 300
    R1Q3A7236ABB-33I
    72-Mbit QDR™II SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II 72000 36000 4 1.5 180 300
    R1Q4A4418RBG-33I
    144-Mbit DDR II SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II CIO 144000 18000 2 1.5 120 300
    R1Q4A4436RBG-33I
    144-Mbit DDR II SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II CIO 144000 36000 2 1.5 120 300
    R1QAA4418RBG-18I
    144-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency)
    		 QDR-II+ without ODT 144000 18000 4 2.5 250 550
    R1QDA4418RBG-18I
    144-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 QDR-II+ with ODT 144000 18000 4 2.5 250 550
    R1QDA4418RBG-19I
    144-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 QDR-II+ with ODT 144000 18000 4 2.5 250 533
    R1QDA4436RBG-18I
    144-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 QDR-II+ with ODT 144000 36000 4 2.5 250 550
    R1QDA4436RBG-19I
    144-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 QDR-II+ with ODT 144000 36000 4 2.5 250 533
    R1QDA7218ABB-19I
    72-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II+ with ODT 72000 18000 4 2.5 250 533
    R1QDA7218ABB-20I
    72-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II+ with ODT 72000 18000 4 2.5 250 500
    R1QDA7236ABB-19I
    72-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II+ with ODT 72000 36000 4 2.5 250 533
    R1QDA7236ABB-20I
    72-Mbit QDR™II+ SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II+ with ODT 72000 36000 4 2.5 250 500
    R1QEA4436RBG-19I
    144-Mbit DDR™II+ SRAM 2-word Burst Architecture ( 2.5 Cycle Read latency ) with ODT
    		 DDR-II+ CIO with ODT 144000 36000 2 2.5 250 533
    R1QEA7218ABB-19I
    72-Mbit DDRII+ SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II+ CIO with ODT 72000 18000 2 2.5 250 533
    R1QEA7218ABB-20I
    72-Mbit DDRII+ SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II+ CIO with ODT 72000 18000 2 2.5 250 500
    R1QEA7236ABB-19I
    72-Mbit DDRII+ SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II+ CIO with ODT 72000 36000 2 2.5 250 533
    R1QEA7236ABB-20I
    72-Mbit DDRII+ SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II+ CIO with ODT 72000 36000 2 2.5 250 500
    RMQC4A1818DGBA-302
    18-Mbit DDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II CIO 18000 18000 2 1.5 120 333
    RMQC4A1836DGBA-302
    18-Mbit DDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II CIO 18000 36000 2 1.5 120 333
    RMQC4A3618DGBA-302
    36-Mbit DDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II CIO 36000 18000 2 1.5 120 333
    RMQC4A3636DGBA-302
    36-Mbit DDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 DDR-II CIO 36000 36000 2 1.5 120 333
    RMQCEA3618DGBA-182
    36-Mbit DDR™ II+ SRAM 2-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 DDR-II+ CIO with ODT 36000 18000 2 2.5 250 550
    RMQCEA3636DGBA-182
    36-Mbit DDR™ II+ SRAM 2-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 DDR-II+ CIO with ODT 36000 36000 2 2.5 250 550
    RMQCHA3618DGBA-222
    36-Mbit DDR™ II+ SRAM 2-word Burst Architecture (2.0 Cycle Read latency)
    		 DDR-II+ CIO without ODT 36000 18000 2 2 250 450
    RMQCHA3636DGBA-222
    36-Mbit DDR™ II+ SRAM 2-word Burst Architecture (2.0 Cycle Read latency)
    		 DDR-II+ CIO without ODT 36000 36000 2 2 250 450
    RMQS2A1818DGBA-332
    18-Mbit QDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 QDR-II 18000 18000 2 1.5 120 300
    RMQS2A1836DGBA-332
    18-Mbit QDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 QDR-II 18000 36000 2 1.5 120 300
    RMQS2A3618DGBA-332
    36-Mbit QDR™ II SRAM 2-word Burst
    		 QDR-II 36000 18000 2 1.5 120 300
    RMQS2A3636DGBA-332
    36-Mbit QDR™ II SRAM　2-word Burst
    		 QDR-II 36000 36000 2 1.5 120 300
    RMQS3A1836DGBA-302
    18-Mbit QDR™ II SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II 18000 36000 4 1.5 120 333
    RMQS3A3618DGBA-302
    36-Mbit QDR™ II SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II 36000 18000 4 1.5 120 333
    RMQS3A3636DGBA-302
    36-Mbit QDR™ II SRAM 4-word Burst
    		 QDR-II 36000 36000 4 1.5 120 333
    RMQSDA3618DGBA-182
    36-Mbit QDR™ II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 QDR-II+ with ODT 36000 18000 4 2.5 250 550
    RMQSDA3636DGBA-182
    36-Mbit QDR™ II+ SRAM 4-word Burst Architecture (2.5 Cycle Read latency) with ODT
    		 QDR-II+ with ODT 36000 36000 4 2.5 250 550
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

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