パッケージ情報
| Pkg. Code | pkg_11787 |
| Lead Count (#) | 44 |
| Pkg. Type | TSOP(44) |
| Pkg. Dimensions (mm) | 18.41 x 10.16 x 1.2 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | 3A991 |
| HTS (US) | 8542.32.0041 |
| RoHS (RMLV0816BGSB-4S2#AA0) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
製品スペック
| Carrier Type | Tray |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Country of Assembly | China, Malaysia, Taiwan |
| Country of Wafer Fabrication | Japan |
| Price (USD) | 1ku | 4.59057 |
| Access Time (ns) | 45 |
| Density (Kb) | 8000 |
| Lead Compliant | Yes |
| Lead Count (#) | 44 |
| Length (mm) | 18 |
| Longevity | 2032 12月 |
| MOQ | 1 |
| Memory Capacity (kbit) | 8000 |
| Memory Density | 8M |
| Organization | 512K x 16 |
| Organization (bit) | x 16 |
| Organization (kword) | 512 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pkg. Dimensions (mm) | 18 x 10 x 1.2 |
| Pkg. Type | TSOP(44) |
| Remarks | Single Chip Select (CS#） |
| Replacement Remark | Change in generation from 0.15 um to 0.11 um |
| Supply Voltage (V) | 2.4 - 3.6 |
| Tape & Reel | No |
| Temp. Range | -40 to +85°C |
| Thickness (mm) | 1.2 |
| Width (mm) | 10 |
説明
RMLV0816BGSBは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSBは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSBは、44ピンの薄型パッケージ（TSOP/11.76mm×18.41mm [ピンピッチ 0.80mm]）に収納されており、高密度実装に最適です。