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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
1Mb 低消費電力SRAM (128k word x 8bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(32)
Pkg. Code:pkg_11797
Lead Count (#):32
Pkg. Dimensions (mm):18 x 8 x 1.2
Pitch (mm):0.5

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Carrier TypeTray
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Access Time (ns)55
Density (Kb)1000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)32
Length (mm)18
MOQ1
Memory Capacity (kbit)1000
Memory Density1
Organization128K x 8
Organization (bit)x 8
Organization (kword)128
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)18 x 8 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(32)
Price (USD)$4.9865
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement Remarkconsolidation of part-names and/or assembly material change
Supply Voltage (V)4.5 - 5.5
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)8

説明

R1LP0108Eシリーズは、シリコンゲート0.15µm CMOSプロセス技術を用いた131,072語 ×8ビット構成を持ち、単一電源で動作する非同期式のスタティクRAMです。メモリセルにTFT技術を用い、高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです。したがってR1LP0108Eシリーズは、低スタンバイ電流かつ低動作電源電流という特性を有していますので、バッテリ駆動を行なうシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な32ピンの薄型パッケージ(SOP,TSOP,sTSOP)が用意されています。