メインコンテンツに移動
2.5 A 出力, 高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 6 ピン SDIP フォトカプラ

パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) EAR99
HTS (US) 8541.49.8000
RoHS (PS9331L-V-AX) 英語日本語

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
Country of Assembly JAPAN
Country of Wafer Fabrication JAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms) 5
CMTI min. (kV/µs) 50
Channels (#) 1
Creepage Distance (mm) 7
DC IFLH max. (mA) 4
IFLH (Max) (mA) 4
IOL/IOH (Peak) (A) 2.5
Isolation Voltage (Vrms) 5000
Lead Compliant Yes
Longevity 2030 12月
MOQ 20
Peak Output Current IPK (A) 2.5
SW PDD max. (ns) 90
SW PWD max. (ns) 75
SW tPLH, tPHL max. (ns) 175
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1) Approved
Safety Standard UL (UL1577) Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5) Approved
Supply Voltage (V) 15 - 30
Tape & Reel No
Target applications IGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V) 35
tPHL (Max) (μs) 0.175
tPLH (Max) (μs) 0.175
tf (Typical) (µs) 0.04

説明

PS9331L, PS9331L2 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
PS9331L, PS9331L2 は既存の 8 ピン DIP に比べ,実装面積が約 50%減少となる 6 ピン SDIP パッケージを採用しています。
高耐ノイズ (高 CMR),高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。
PS9331L は,表面実装用リード・フォーミング品です。
PS9331L2 は,長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。