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2.5 A 出力,高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 5 ピン SOP(LSO5, 8 ㎜沿面)フォトカプラ

パッケージ情報

CADモデル: View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) EAR99
HTS (US) 8541.49.8000
RoHS (PS9031-Y-V-F3-AX) 英語日本語

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
Country of Assembly JAPAN
Country of Wafer Fabrication JAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms) 5
CMTI min. (kV/µs) 50
Channels (#) 1
Creepage Distance (mm) 8
DC IFLH max. (mA) 4
IFLH (Max) (mA) 4
IOL/IOH (Peak) (A) 2.5
Isolation Voltage (Vrms) 5000
Lead Compliant Yes
Longevity 2031 12月
MOQ 3000
Peak Output Current IPK (A) 2.5
Price (USD) $1.13306
SW PDD max. (ns) 90
SW PWD max. (ns) 75
SW tPLH, tPHL max. (ns) 175
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1) Approved
Safety Standard UL (UL1577) Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5) Approved
Supply Voltage (V) 15 - 30
Tape & Reel No
Target applications IGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V) 35
tPHL (Max) (μs) 0.175
tPLH (Max) (μs) 0.175
tf (Typical) (µs) 0.04

説明

PS9031 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
高耐ノイズ(高 CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。