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高コレクタ・エミッタ間電圧,高絶縁耐圧 マルチフォトカプラ・シリーズ

パッケージ情報

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
ECCN (US) EAR99
HTS (US) 8541.49.8000
RoHS (PS2535-1-V-A) 英語日本語

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Pb (Lead) Free Yes
Country of Assembly Japan
Country of Wafer Fabrication Japan
Price (USD) | 1ku 0.73958
Breakdown Voltage (BV) (kV rms) 5
CTR 5500
CTR (Max)% 5500
CTR (min)% 400
CTR Range (%) 400 - 400
Carrier Type Tube
Channels (#) 1
Creepage Distance (mm) 7
IC @25 °C (A) 0.12
IC max (mA) 120
IF at CTR (mA) 1
IF at CTR (mA) 1
Isolation Voltage (Vrms) 5000
Lead Compliant Yes
Longevity 2031 12月
MOQ 100
SW tf Typ. (µs) 5
SW tr Typ. (µs) 18
Safety Standard BSI (BS EN IEC 62368-1) Approved
Safety Standard UL (UL1577) Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5) Approved
Tape & Reel No
Target applications Telephone, Exchange, FAX, Modem
VCE at CTR (V) 2
VCE at CTR (V) 2
VCEO (V) 350
VCEO max (mA) 350
tf (Typical) (µs) 5

説明

PS2535-1, PS2535L-1 は,GaAs 赤外LED とシリコン・ダーリントン接続フォトトランジスタを組み合わせた光結合素子です。
入出力間の絶縁耐圧およびトランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧が高く,さらにダーリントン・トランジスタ出力になっているため低電流入力が可能です。
PS2535L-1 はPS2535-1 の表面実装用リード・フォーミング品です。