シリコンに対して効率が向上
ルネサスは、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ (GaN HEMT) のパイオニアであり、25Wから10kWまでの幅広いアプリケーションにわたって、信頼性が高く高性能なソリューションを提供しています。 2,000万個以上のハイパワーおよびローパワーデバイスが出荷され、当社の製品は合計で3,000億時間以上のフィールド運用を蓄積しています。 これらの成果は、GaN固有の利点を活したユニークで優れたアーキテクチャによって達成されます。
小型PQFN、堅牢なTOリードパッケージ、底面放熱と上面放熱を特徴とするさまざまな表面実装パッケージなど、パワーGaN HEMTのパッケージオプションを提供しています。この汎用性は、設計上の制約が多い他社のGaN製品にはない特長です。
当社の堅牢なノーマリオフアーキテクチャにより、豊富なパッケージバリエーションを可能にし、かつカスコード接続された低電圧シリコンMOSFETをゲート駆動する事により、標準的なのシリコンドライバとの互換性を実現します。 これらの機能により、システム開発者にとってGaNの採用がより簡単で費用対効果が高くなります。
堅牢性と信頼性
当社の非常に堅牢なGaN-on-Siカスコード技術は、現場で300+10億時間稼働しております。また当社は垂直統合型のサプライチェーンを持つ信頼性の高いGaNサプライヤーとなっています。
ハイパフォーマンスポートフォリオ
650Vおよび700VのGaNデバイスは、他のGaN製品やSIC,シリコンデバイスと比較して、25Wから10kWまでの電力帯に対応し、損失を25%低減する事が可能でシステムの効率を向上させます。
デザインが簡単
独自のカスコード構造により、標準のゲート・ドライバで容易に駆動でき、ピン互換のリード付き、SMD、上面冷却パッケージ等多彩なペッケージラインナップと設計イブラリを提供します。
