概要
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The NP80N06MLG, NP80N06NLG, and NP80N06PLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
特長
- Logic level
- Built-in gate protection diode
- Super low on-state resistance NP80N06MLG, NP80N06NLG RDS(on)1 = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13.3 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) NP80N06PLG RDS(on)1 = 8.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)
- High current rating ID(DC) = ±80 A
- Low input capacitance Ciss = 4600 pF TYP.
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
ログイン後、ご登録が可能となります。
|
|
|
|
|---|---|---|
| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 347 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
5件
|
||
設計・開発
モデル
ECADモデル
SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。
製品選択
適用されたフィルター