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耐放射線特性プラスチック製GaN FET
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近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、パワーステージとしての窒化ガリウム（GaN）FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスはこれらの電力システムで使用されるGaN FETを効率的に駆動するために、耐放射線特性100V GaN FET + 一体型ローサイドドライバを開発しました。 これらのプラスチックパッケージ化された耐放射線特性GaN FET + ドライバはさまざまなタイプのミッションのDC/DC電源に使用されています。
セレクションテーブル
Processing table
| Radiation Hardened 100V GaN FET with Integrated Low-Side GaN FET Driver | 4.5 | 13.2 | 4.5 | 3.98 | 3.74 | 1.7 | 1.4 | 7.5 | 30 | 86 | 81 | FBGA |
Tips for Using This Parametric Table:
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ドキュメント
| 分類 | 日付 | |
|---|---|---|
| PDF 4.85 MB | カタログ | |
| PDF 229 KB | 技術概要 | |
| PDF 1.49 MB 英語 | ホワイトペーパー | |
| PDF 405 KB | ホワイトペーパー | |
| PDF 338 KB | アプリケーションノート | |
5 items
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