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近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、パワーステージとしての窒化ガリウム(GaN)FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスはこれらの電力システムで使用されるGaN FETを効率的に駆動するために、耐放射線特性100V GaN FET + 一体型ローサイドドライバを開発しました。 これらのプラスチックパッケージ化された耐放射線特性GaN FET + ドライバはさまざまなタイプのミッションのDC/DC電源に使用されています。
Input Voltage (Min) (V) |
Input Voltage (Max) (V) |
Gate Drive (V) |
UVLO Rising (V) |
UVLO Falling (V) |
VIH (V) |
VIL (V) |
RDSON (Typ) (mΩ) |
Low Dose Rate (LDR) (krad (Si)) |
DSEE (SEL, SEB, etc.) (MeV*cm2/mg) |
Lead Count (#) |
Pkg. Type |
Models Available |
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型名 | |||||||||||||
Radiation Hardened 100V GaN FET with Integrated Low-Side GaN FET Driver | 4.5 | 13.2 | 4.5 | 3.98 | 3.74 | 1.7 | 1.4 | 7.5 | 30 | 86 | 81 | FBGA |
Document title | Document type 分類 | 日付 日付 |
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PDF 4.85 MB | カタログ | |
PDF 229 KB | 技術概要 | |
PDF 1.49 MB 英語 | ホワイトペーパー | |
PDF 405 KB | ホワイトペーパー | |
PDF 338 KB | アプリケーションノート | |
5 items
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Learn about Intersil's family of radiation-tolerant plastic-package ICs designed to support the emerging field of small satellites that will provide solutions such as high-speed Internet connections to hundreds of millions of users in communities, governments, and businesses worldwide. These ICs deliver rad-tolerance performance at a much lower cost point versus radiation assurance tested Class V (space level) products.