航空宇宙および苛酷環境用IC

近年、宇宙市場は効率性の高いパワーマネジメントソリューションに向けて進んでいます。 その推進力の1つに、パワーステージとしての窒化ガリウム（GaN）FETの使用があります。 GaN FETは高い電力変換効率を持ち、放射線への耐性が高く、その性質から広バンドギャップ半導体となっています。 ルネサスはこれらの電力システムで使用されるGaN FETを効率的に駆動するために、耐放射線特性100V GaN FET + 一体型ローサイドドライバを開発しました。 これらのプラスチックパッケージ化された耐放射線特性GaN FET + ドライバはさまざまなタイプのミッションのDC/DC電源に使用されています。

セレクションテーブル

    Processing table
    Input Voltage (Min) (V)
    Input Voltage (Max) (V)
    Gate Drive (V)
    UVLO Rising (V)
    UVLO Falling (V)
    VIH (V)
    VIL (V)
    RDSON (Typ) (mΩ)
    Low Dose Rate (LDR) (krad (Si))
    DSEE (SEL, SEB, etc.) (MeV*cm2/mg)
    Lead Count (#)
    Pkg. Type
    Models Available
    型名
    ISL73033SLHM
    Radiation Hardened 100V GaN FET with Integrated Low-Side GaN FET Driver    		 4.5 13.2 4.5 3.98 3.74 1.7 1.4 7.5 30 86 81 FBGA
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

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    • Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
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    ドキュメント

    タイトル
    		分類 日付
    Intersil Space Products Brochure
    PDF 4.85 MB     		カタログ
    R34ZZ0006: Radiation Hardened Plastic Production and QCI Flow
    PDF 229 KB     		技術概要
    急拡大する小型衛星市場「New Space」におけるGaNデバイスの活用
    PDF 1.49 MB 英語     		ホワイトペーパー
    Powering Small Satellite Constellations with Plastic ICs
    PDF 405 KB     		ホワイトペーパー
    AN9867: End of Life Derating: A Necessity or Overkill
    PDF 338 KB     		アプリケーションノート
    5 items
    Radiation-Tolerant Plastic-Package ICs Overview

    Learn about Intersil's family of radiation-tolerant plastic-package ICs designed to support the emerging field of small satellites that will provide solutions such as high-speed Internet connections to hundreds of millions of users in communities, governments, and businesses worldwide. These ICs deliver rad-tolerance performance at a much lower cost point versus radiation assurance tested Class V (space level) products.

    Video List
    Radiation-Tolerant Plastic-Package ICs Overview

    ツール&リソース

    宇宙環境FAQ