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Renesasの非同期SRAMは、性能と信頼性に優れたCMOS技術によって製造されています。この技術に革新的な回路設計技術を組み合わせることによって、高速／非同期のSRAMというニーズを満たす費用対効果の高いソリューションを実現しています。Renesasの非同期SRAMは完全にスタティックな非同期回路を使用しており、クロックやリフレッシュは動作に必要ありません。RoHS 6/6に準拠する（グリーン）パッケージを含む業界標準のパッケージ・オプションを用意しています。
非同期SRAM（Async SRAM）について
非同期SRAM（非同期のスタティックランダムアクセスメモリ）は、スタティックな方法でデータを格納するメモリーです。格納されたデータは、デバイスに電力が供給されている限り、一定の状態で保存されます。メモリに格納されたデータを定期的にリフレッシュする必要のあるDRAM（ダイナミックRAM）とはこの点が異なります。
非同期SRAMは、スタティックにデータを格納するので、DRAMよりも高速で、消費電力は少なく抑えられます。その一方で、SRAMのほうが回路構成が複雑であることから、DRAMよりも記録密度が低く、製造コストも高くなります。このような理由から、PCのメインメモリにはほとんどの場合DRAMが使用されます。非同期SRAMは、CPUのキャッシュメモリやハードドライブ用のバッファ、ネットワーク装置、民生用エレクトロニクス機器、家庭用電化製品といった多くのメモリ容量を必要としない用途に使用されます。同期SRAMではリード／ライトにクロックを使用しますが、非同期SRAMは通常、非同期信号によって制御します。
非同期SRAMを選定する際に考慮すべき主要なパラメータには、以下に挙げるようなものがあります。
- 密度：非同期SRAMのメモリ部に格納されるデータのビット数。Renesasは、4MBまでのサイズの製品を提供しています。
- バス幅：非同期SRAMに対するリード／ライトに使用されるレーン数。Renesasは、8ビットと16ビットのオプションを提供しています。
- コア部の電源電圧：非同期SRAMのコア部に電力を供給するための電源電圧。通常は、システム内に存在する電源レールによって値が決まります。多くの場合、メモリのデータのリード／ライトに使用されるI/O部の電圧と密に関連します。Renesasは、標準的な5Vと3.3Vのオプションを提供しています。
- I/O部の電源電圧：データの入出力に使用するI/O部に供給する電源電圧。製品によって、コア部の電源電圧と共通のものと異なるものがあります。
- アクセス時間：メモリのデータのリード／ライトに要する時間。非同期SRAMのアクセス時間としては、CPUの処理に対応できるだけの速度を実現可能であることが求められます。そうでない場合は、CPUにおいて一部のクロックサイクルが無駄になり、処理が遅くなってしまうからです。Renesasの製品の場合、最小で10nsのアクセス時間を実現しています
