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Renesasの非同期SRAMは、性能と信頼性に優れたCMOS技術によって製造されています。この技術に革新的な回路設計技術を組み合わせることによって、高速/非同期のSRAMというニーズを満たす費用対効果の高いソリューションを実現しています。Renesasの非同期SRAMは完全にスタティックな非同期回路を使用しており、クロックやリフレッシュは動作に必要ありません。RoHS 6/6に準拠する(グリーン)パッケージを含む業界標準のパッケージ・オプションを用意しています。
非同期SRAM(非同期のスタティックランダムアクセスメモリ)は、スタティックな方法でデータを格納するメモリーです。格納されたデータは、デバイスに電力が供給されている限り、一定の状態で保存されます。メモリに格納されたデータを定期的にリフレッシュする必要のあるDRAM(ダイナミックRAM)とはこの点が異なります。
非同期SRAMは、スタティックにデータを格納するので、DRAMよりも高速で、消費電力は少なく抑えられます。その一方で、SRAMのほうが回路構成が複雑であることから、DRAMよりも記録密度が低く、製造コストも高くなります。このような理由から、PCのメインメモリにはほとんどの場合DRAMが使用されます。非同期SRAMは、CPUのキャッシュメモリやハードドライブ用のバッファ、ネットワーク装置、民生用エレクトロニクス機器、家庭用電化製品といった多くのメモリ容量を必要としない用途に使用されます。同期SRAMではリード/ライトにクロックを使用しますが、非同期SRAMは通常、非同期信号によって制御します。
非同期SRAMを選定する際に考慮すべき主要なパラメータには、以下に挙げるようなものがあります。
PLP |
Density (Kb) |
Bus Width (bits) |
Core Voltage (V) |
Pkg. Type |
Organization |
I/O Voltage (V) |
Access Time (ns) |
Temp. Range |
Architecture |
|
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型名 | ||||||||||
5.0V 8K x 8 Asynchronous Static RAM | 対象外 | 64 | 8 | 5 | CDIP | 8K x 8 | 5 | 70 | -55 to 125°C | Asynchronous |
5.0V 2K x 8 Asynchronous Static RAM | 対象外 | 16 | 8 | 5 | SOIC | 2K x 8 | 5 | 20, 25, 15 | -40 to 85°C, 0 to 70°C | Asynchronous |
5.0V 64K x 16 Asynchronous Static RAM | 対象外 | 1024 | 16 | 5 | TSOP | 64K x 16 | 5 | 12, 15, 20 | -40 to 85°C, 0 to 70°C | Asynchronous |
5.0V 128K x 8 Asynchronous Static RAM with Corner Power & Ground Pinout | 対象外 | 1024 | 8 | 5 | SOJ | 128K x 8 | 5 | 12, 15, 20 | -40 to 85°C, 0 to 70°C | Asynchronous |
5.0V 32K x 8 Asynchronous Static RAM | 対象外 | 256 | 8 | 5 | CDIP | 32K x 8 | 5 | 100 | -55 to 125°C | Asynchronous |
5.0V 8K x 8 Asynchronous Static RAM | 対象外 | 64 | 8 | 5 | CDIP | 8K x 8 | 5 | 45 | -55 to 125°C | Asynchronous |
3.3V 64K x 16 Bit Asynchronous Static RAM | 対象外 | 1024 | 16 | 3.3 | CABGA, TSOP | 64K x 16 | 3.3 | 10, 12, 15, 20 | -40 to 85°C, 0 to 70°C | Asynchronous |
3.3V 128K x 8 Asynchronous Static RAM Center Power & Ground Pinout | 対象外 | 1024 | 8 | 3.3 | SOJ | 128K x 8 | 3.3 | 10, 12, 15 | -40 to 85°C, 0 to 70°C | Asynchronous |
3.3V 256K x 16 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout | 対象外 | 4096 | 16 | 3.3 | CABGA, TSOP | 256K x 16 | 3.3 | 10, 12, 15 | -40 to 85°C, 0 to 70°C | Asynchronous |
3.3V 512K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout | 対象外 | 4096 | 8 | 3.3 | TSOP | 512K x 8 | 3.3 | 10, 12, 15 | -40 to 85°C, 0 to 70°C | Asynchronous |
Wide Temperature Range Version 4M High-speed SRAM (512-kword × 8-bit) | 対象外 | 4096 | 8 | 5 | SOJ | 512K x 8 | 5 | 12 | ||
4M High-speed SRAM (512-kword × 8-bit) | 対象外 | 4096 | 8 | 5 | SOJ | 512K x 8 | 5 | 12 | ||
Wide Temperature Range Version 4M High-speed SRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4096 | 16 | 5 | SOJ, TSOP(44) | 256K x 16 | 5 | 12, 10 | ||
4M High-speed SRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4096 | 16 | 5 | SOJ, TSOP(44) | 256K x 16 | 5 | 12, 10 | ||
Wide Temperature Range Version 4M High-speed SRAM (512-kword × 8-bit) | 対象外 | 4096 | 8 | 3.3 | SOJ | 512K x 8 | 3.3 | 12 | ||
4M High-speed SRAM (512-kword × 8-bit) | 対象外 | 4096 | 8 | 3.3 | SOJ | 512K x 8 | 3.3 | 12 | ||
Wide Temperature Range Version 4M High-speed SRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4096 | 16 | 3.3 | SOJ, TSOP(44) | 256K x 16 | 3.3 | 12, 10 | ||
4M High-speed SRAM (256-kword × 16-bit) | 2032 12月 | 4096 | 16 | 3.3 | SOJ, TSOP(44) | 256K x 16 | 3.3 | 12, 10 |
Document title | Document type
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日付 日付 |
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PDF 568 KB 英語 | ガイド | |
PDF 1.58 MB 英語 | 概要 | |
PDF 1.31 MB 英語 | ガイド | |
PDF 603 KB | 概要 | |
PDF 3.89 MB | 概要 | |
PDF 2.56 MB | 概要 | |
PDF 54 KB | ガイド | |
7 items
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