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1200V - 150A - Diode Chip

パッケージ情報

Pkg. Type Sawn Wafer

環境及び輸出分類情報

Pb (Lead) Free No
ECCN (US) 5A002
Moisture Sensitivity Level (MSL)
HTS (US)

製品スペック

Pkg. Type Sawn Wafer
Pb (Lead) Free No
Application Inverter
Elements S: Single D: Double S
IF (A) 150
IR (Max) (µA) 100
Lead Compliant No
MOQ 1
Qualification Level Automotive
Simulation Model Available Yes
Tape & Reel No
Technology Fast Recovery Diode
Tj (°C) 175
VF (Max) 2.2
VF (Typical) (V) 1.8
VRM (V) 1200

説明

ルネサスの車載用Fast Recovery Diodeは、超薄ウエハとライフタイム制御技術により低い順方向電圧と高速且つソフトなリカバリ特性を実現しています。

本1200V/150A Diodeは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。