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概要

説明

RJP65S07DWAは650V、150Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、Unsawnウェハパッケージで提供されます。

特長

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V(typ.) (IC = 150A、VGE = 15V、TC = 25°C時)
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量(10µs min.)

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ECADモデル

SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

Diagram of ECAD Models

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