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概要

説明

The NP50P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 10 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A)
  • Low input capacitance Ciss = 5100 pF TYP.

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.30 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB English
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB English
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル

ECADモデル

SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

Diagram of ECAD Models

製品選択

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