概要
説明
TP70H480G4JSG 700V 480mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、5x6 PQFNパフォーマンスパッケージに収められており、ルネサスのGen IV SuperGaN® 技術によるノーマリオフデバイスです。 高電圧GaN HEMTと最適化された低電圧シリコンMOSFETを接続し、2kVを超えるHBM ESD定格を誇り、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
特長
- 480mΩ、700V GaNデバイス、PQFN 5x6パフォーマンスパッケージ
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff テスト済み
- ロバスト設計は、以下によって定義されます。
- 800Vの過渡過電圧能力
- ツェナーダイオードによるゲート過電圧保護なしに標準的なゲートドライバでの駆動が可能
- 2kV HBM ESD定格
- 非常に小さなQRR
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- システムコストの全体的な削減
製品比較
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 732 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 372 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 639 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 3.39 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 1.26 MB | |
| その他資料 | ZIP 50 KB | |
| ガイド | PDF 225 KB | |
| ガイド | PDF 273 KB | |
| ガイド | PDF 391 KB | |
9件
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