概要
説明
RMLV0816BGSBは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSBは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSBは、44ピンの薄型パッケージ（TSOP/11.76mm×18.41mm [ピンピッチ 0.80mm]）に収納されており、高密度実装に最適です。
特長
- 3V 単一電源：2.4V ～ 3.6V
- アクセス時間
-電源電圧 2.7V～3.6V 時：45ns (max.)
-電源電圧 2.4V～2.7V 時：55ns (max.) - 消費電流
-スタンバイ時：0.45µA (typ.) - アクセスとサイクル時間が同じです。
- データ入力と出力が共通端子です。
-スリーステート出力 - すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
- バッテリバックアップ動作が可能です。
製品比較
アプリケーション
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 454 KB English | |
| ガイド | PDF 292 KB English | |
| ガイド | PDF 1.31 MB English | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 202 KB | |
| 製品変更通知 | PDF 1.14 MB English | |
| パッケージ外形図 | PDF 79 KB | |
| 製品変更通知 | PDF 1.08 MB English | |
| 製品変更通知 | PDF 857 KB English | |
8件
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