パッケージ情報
| Pkg. Type | TOLT |
| Lead Count (#) | 16 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 10 x 15 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Pb (Lead) Free |
製品スペック
| Pkg. Type | TOLT |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range | -55 to +150°C |
| Ciss (Typical) (pF) | 638 |
| Coss (Typical) (pF) | 72 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 29 |
| Lead Count (#) | 16 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 10 x 15 |
| Qg typ (nC) | 9 |
| Qoss (nC) | 80 |
| Qrr typ (nC) | 0 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 72 |
| RDSON (max) (mΩ) | 85 |
| Ron * Qoss (FOM) | 5760 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 4 |
| trr (Typical) (nS) | 80 |
説明
TP65H070G4RS 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H070G4RSは、ケルビンソースと共通ソースパッケージ構成の業界標準のTOLTで提供されます。